| 型号：FDD7N60NZTM | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 描述：MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 |
| 系列 | UniFET-II™ |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 5.5A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.25 欧姆 @ 2.75A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 17nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 730pF @ 25V |
| 功率_最大 | 90W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
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